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中科院研制出高性能负电容FinFET器件

5月28日消息,日前,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心,面向5纳米及以下节点高性能和低功耗晶体管性能需求,成功研制出高性能的负电容FinFET器件。

先导中心殷华湘研究员的团队在主流后HKMG FinFET集成工艺的基础上,通过材料工艺优化和多栅器件电容匹配设计,结合高质量低界面态的3纳米铪锆金属氧化物薄膜,研制成功性能优异的NC-FinFET器件,实现了SS和阈值电压回滞分别为34.5mV/dec和9mV的500纳米栅长NC-FinFET器件,以及SS和阈值电压回滞分别为53mV/dec和40mV的20纳米栅长NC-FinFET器件。该研究结果发表在国际微电子器件领域的顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》上。

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