芯东西（公众号：aichip001）
编译 | 刘煜
编辑 | 陈骏达

芯东西3月12日消息，3月10日，IBM与美国泛林集团宣布展开合作，共同推进sub-1nm芯片制程。合作包括开发新型材料、先进工艺与高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术，为下一代逻辑芯片研发提供技术支撑，加速相关技术在行业内的普及应用。

泛林集团是全球领先的半导体晶圆制造设备与服务供应商，拥有端到端的工艺设备。如Kiyo与Akara刻蚀平台、Striker和ALTUS Halo沉积系统，Aether干膜光刻胶技术以及为纳米片、纳米堆叠器件与背面供电架构构建并验证完整工艺流程的先进封装技术。目前，许多先进芯片均采用泛林技术制造。

▲ALTUS Halo设备图（图源：泛林集团官网）

IBM与泛林集团已在逻辑芯片制造领域合作十余年，共同推动了早期7nm、纳米片（nanosheet）及极紫外光刻（EUV）工艺技术的实现。此次新的合作协议长达五年，协议称，双方将通过合作使逻辑芯片制程进一步拓展至sub-1nm节点。

泛林集团首席技术官兼可持续发展官瓦希德·瓦赫迪（Vahid Vahedi）称，“随着行业进入三维制程微缩（3D scaling）的新时代，技术进步取决于我们如何重新将材料、工艺与光刻整合为一套高密度的完整系统。”

双方团队将整合泛林集团的优势与IBM在纽约州奥尔巴尼纳米技术综合体的研发能力，让高数值孔径极紫外光刻图形能够高良率、高可靠性地转移到真实器件层中，从而实现制程持续微缩和性能提升，并为未来逻辑芯片提供可行的量产路径。

对于1nm制程的落地，作为产业链巨头的台积电与三星，也在逐步布局。

2023年12月，台积电于IEEE发表有关1nm制程的产品规划，台积电称，预计2027年实现1.4nm节点，到2030年实现1nm节点。

2025年4月，三星电子宣布启动“梦想制程”1nm芯片研发，预计2029年后实现量产，旨在通过颠覆性技术突破追赶台积电。三星内部已将部分参与2nm研发的工程师调任至1nm项目组，显示出对该项目的战略重视。

结语：技术与设备相协同，1nm制程或将加速进入现实

由此可见，对于sub-1nm制程的挑战已不再是简单缩小尺寸，需要在材料与技术层面上实现系统性突破。IBM与泛林集团此次达成的长期合作，或将为攻克sub-1nm制程难题以及构建长期技术竞争力积累优势。

目前，AI算力需求暴涨，企业冲刺更小纳米制程，随着新型材料、先进刻蚀与薄膜沉积技术以及高数值孔径极紫外光刻技术逐步落地，行业对1nm领域的技术探索将进一步深入。