第三代半导体材料的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。
氮化镓GaN已在消费电子率先突破，中高压领域或后来居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下，成本在1美金左右。氮化镓GaN功率器件在低压领域（0-900V）率先商用，替代传统的硅基功率器件。更有实验室宣布最新工作电压可达1200V的硅基GaN外延片，如若该技术商业化顺利，1000V以上中高压领域，硅基GaN也有可能获得一部分市场份额。
新能源汽车为碳化硅SiC的最重要应用领域，如主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等。相较于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET电动车的续航里程更长。EPA城市路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，将节省77%的能量损耗。EPA高速路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，节省85%的能量损耗。能耗节省直观增加车辆续航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的电动车比使用硅基IGBT电动车将增加5-10%的续航里程。
目前我国厂商已布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节。整体来看我国第三代半导体全产业链自主可控能力较强。
氮化镓GaN单晶生长困难问题有何良策？
氮化镓GaN何时可提升其射频市场的渗透率？
碳化硅良率提升问题如何解决？
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12月9日深圳国际会展中心(宝安新馆) “第三代半导体产业发展高峰论坛”将就相关问题带来讲解。
同期峰会预告：
2021第四届“5G&半导体产业技术高峰会
时间：2021年12月8下午13:30-17:30日 地点：深圳国际会展中心（宝安）
