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IBM首次揭秘同是14nm缓存翻倍原因
2020-03-09
智东西
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3月9日消息,据外媒报道,近日IBM大型商用服务器z15的物理设计(physical design)团队负责人Christopher Berry表示,通过对缓存位线、字线、阵列、供电等方面的调整,他们将z15 SC芯片的总有效缓存密度提高了80%。
据介绍,z15采用与格罗方德(GlobalFoundries)共同定制的14纳米FinFET on SOI工艺制成。通过该工艺IBM可以生产出超高密度的DTC eDRAM,这也是IBM十几年来的秘密武器。该工艺具有超高密度DTC eDRAM,即使采用的是14纳米工艺,eDRAM的单元尺寸也达到了0.0174μm²。目前,台积电使用尚未量产的5纳米工艺所能制成的最密集的SRAM单元,其尺寸为0.021μm² 。这意味着IBM的14纳米eDRAM单元的密度比迄今为止最密集的5纳米SRAM单元还要高大约20%。