12月13日消息，据外媒报道，三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资，以促进NAND闪存芯片的生产。三星的此次投资正值全球内存市场预计于明年反弹之际。据预计，由于供应有限，以及对5G设备和网络需求的不断上升，明年全球内存芯片市场将出现反弹。

据悉，此次80亿美元的投资是三星西安闪存芯片项目的二期的第二阶段投资，之前的108亿美元为一期投资。二期项目总投资150亿美元，第一阶段投资约70亿美元，第二阶段为80亿美元。二期项目预计于2021年下半年竣工，建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元。